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1.
2.
《Mendeleev Communications》2019,29(4):400-402
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  相似文献   
3.
通过第一原理电子结构计算来研究有序多孔纳米网的电导特性变化的能带机理.能带结构分析结果表明:石墨烯纳米网超晶格(3m,3n)(m和n为整数)的电子本征态在布里渊区中心点发生四重简并;碳空位孔洞规则排列形成的石墨烯纳米网具有由简并态分裂形成的宽度可调带隙,无论石墨烯的两个子晶格是否对等.在具有磁性网孔阵列的石墨烯纳米网中,反铁磁耦合使对称子晶格的反演对称性增加了一项量子限制条件,导致能带结构在K点的二重简并态分裂成带隙.通过控制网孔密度能够有效调节石墨烯纳米网的带隙宽度,为实现新一代石墨烯纳米电子器件提供了理论依据.  相似文献   
4.
研究L^p(1相似文献   
5.
李琳  孙宇璇  孙伟峰 《计算物理》2020,37(4):488-496
基于密度泛函的第一原理赝势平面波方法,计算晶体结构、电子结构和光学性质,研究硫钒铜矿化合物Cu3VS4、Cu3NbS4和Cu3TaS4的电子输运及电致变色特性,探讨作为透明半导体材料应用于太阳能电池和电致变色器件的可能性.电子结构的计算表明这类化合物是间接带隙半导体,其电子能带的导带底和价带顶分别位于布里渊区的X点和R点.价带顶的电子本征态主要来自于Cu原子的d电子轨道,而导带底电子态主要来源于VB族元素原子的d电子轨道.能带结构、电荷布居分析、电子局域化函数和光吸收及反射谱的计算表明这些硫钒铜矿化合物属于极性共价半导体,具有较高的电荷迁移率和优良的电致变色特性,可应用于高效电致变色器件.  相似文献   
6.
我们发展了一种正电子碰撞原子电离的畸变波Born近似方法, 在这个方法中,正负电子偶素通道通过一个ab initio的光学势附加到入射粒子和靶的相互作用势上,且通道对电离作用被第一次被考虑在正电子碰撞原子电离的过程中. 应用这个方法计算了在50 eV入射能量范围氦的电离的三重微分截面,计算结果和实验数据很好的符合.  相似文献   
7.
Su  X. F.  Zhang  Y. L.  Maximov  A. L.  Zhang  K.  Xin  Q.  Feng  C. Q.  Bai  X. F.  Wu  W. 《Russian Journal of Applied Chemistry》2020,93(1):127-136
Russian Journal of Applied Chemistry - Nanoscale ZSM-5 (AlZ5-D) and Ga-substituted ZSM-5 zeolites ((Al,Ga)Z5-D and GaZ5-D) were synthesized by a green dry-gel conversion strategy. For comparison,...  相似文献   
8.
9.
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